Framleiðandi Vöru númer:
TSM80N08CZ C0G
Product Overview
Framleiðandi:
Taiwan Semiconductor Corporation
Völu númer:
TSM80N08CZ C0G-DG
Lýsing:
MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 113.6W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
12896690
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TSM80N08CZ C0G Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Taiwan Semiconductor
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
75 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
91.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3905 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
113.6W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
TSM80
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
TSM80N08CZ C0G-DG
TSM80N08CZC0G
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF1010EZPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
9758
HLUTARNÁMR
IRF1010EZPBF-DG
Einingaverð
0.57
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
DMNH6008SCTQ
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
311
HLUTARNÁMR
DMNH6008SCTQ-DG
Einingaverð
0.74
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMP3008SFG-7
MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
TSM10N80CI C0G
MOSFET N-CH 800V 9.5A ITO220AB
DMT6007LFGQ-7
MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
